喜欢玩游戏的人应该多多少少会关注固态硬盘，知道固态硬盘现在已经开始从TLC闪存向着QLC闪存升级，存储容量进一步扩大。然而据近日一份行业报告表示，MLC闪存在1xnm下寿命会减少到1500次，TLC则会极速下滑到500次，QLC再次下降一个量级到70次，寿命短成为了大家吐槽QLC的主要点。可为什么尽管如此，QLC固态硬盘为什么还在某东有着大几万的购买量呢？
宏旺半导体之前说过，QLC全程为Quad-Level Cell，四层式存储单元，QLC颗粒的储存密度比TLC颗粒的储存密度还要高得多，而我们也可以直接将存储密度理解成决定颗粒价格的因素，储存密度越低，价格越贵，反之储存密度越高，价格越便宜。所以可以在不同颗粒相同成本的情况下，QLC能够做出更大的容量，自然的，稳定性也会下降，所以QLC的寿命就成了一个问题。
![3A游戏爆火,QLC SSD成大势，为什么寿命低却还有那么多人选它？]( "3A游戏爆火,QLC SSD成大势，为什么寿命低却还有那么多人选它？")
那么，QLC究竟有什么魅力？当然，首先是存储容量更大。随着3D NAND技术的发展，以及QLC每个单元存储4bit数据，原厂96层或128层量产的单颗Die容量向1Tb（1024Gb）或以上提升，远远超过当初2D NAND制程128Gb容量瓶颈。未来PLC的到来，相比QLC容量可再提升25%，再加上144层相比96层堆叠层数提升50%，容量可翻倍，单位容量的增加也代表着品牌厂可生产更大容量的SSD，目前消费类SSD容量可达到8TB。
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其次，对于厂家来说，生产成本更低。宏旺半导体了解到，与上一代64层3D NAND相比，堆叠层数增加了50%，如果量产相同的单颗Die容量，每片Wafer晶圆所产出的GB总量大约可提高近60%；若采用相同96层堆叠，QLC较TLC在每片Wafer晶圆所产出的GB总量大约可提高30%以上，在Wafer成本不变的情况下，单位GB量的成本将明显下滑，SSD整体售价也会更低，尤其是驱动TB级以上容量价格下滑。
从上文的这些数据来看，QLC闪存及未来的PLC闪存显然不够看，不过也别担心，上面的数据是2D NAND工艺下的，3D NAND闪存对工艺要求不高，P/E寿命还是可以看的。就目前市场趋势来看，QLC SSD必然会逐渐成为市场的主流选择。毕竟，从容量和速度优势上来看，它都有着自己的优势。
好的固态硬盘离不开精湛的研发和生产技术。作为国内资深存储品牌，宏旺半导体推出的M.2 NVME SSD是新一代的高性能存储产品，拥有更小巧的身形、更强悍的读写速度、更大的容量、更高效的数据处理能力，是高端主本、游戏本、超低本等设备性能的提升利器。
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采用NVMe协议，有TLC、QLC两种闪存类型，PCIE3.0x4接口，相较于SATAIII接口，性能和速度得到了大幅提升。理论带宽达到了32Gbps，最高连续读取速度可达2500MB/s，最大连续写入速度是1800MB/s，突破了传统SSD的速度枷锁，加载大型文件的速度更胜以往；内嵌LDPC纠错技术，可极大延长SSD固态硬盘使用寿命；支持AES256、SHA256、RSA2048国际密码算法和SM2、SM。